在CV模式下,大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压,由于漏感的原因,在MOSFET管关断后,也就是次级二极管DR导通瞬间,会产生一个尖峰,影响电压采样,为了避开个这个尖峰,大部分芯片采用延时采样方式,也就是在MOSFET管关断一段时间后再来采样线圈上的电压,从而避开漏感尖峰。
SD8583S内置高压MoS管的原边控制开关电源产品描述:
骊微电子代理的SD8583S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率,同时SD8583S采用设计系统,*光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本,SD8583S适用8~10W输出功率,内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
SD8583S产品特点:
内置高压MOS管功率开关
原边控制模式
低启动电流
*消隐
逐周期限流
PFM调制
降峰值模式
过压保护
欠压锁定
环路开路保护
较大导通时间保护
过温保护
线损电压补偿
峰值电流补偿
SD8583S广泛应用于:
充电器
适配器
待机电源
深圳市骊微电子科技有限公司专业集成电路ic生产设计销售,提供电源领域相关软硬件设计服务,提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务,系统解决客户技术后顾之犹。公司产品主要用于电源管理ic、适配器ic 充电器ic,快速充电器ic 车载充电ic,led驱动ic,移动电源ic,磁场效益/mos 二极管,三极管以技术服务为基石,打造 高品质、高性价的整体电源方案供应商。
SD8583S产品特点:
内置高压MOS管功率开关
原边控制模式
低启动电流
*消隐
逐周期限流
PFM调制
降峰值模式
过压保护
欠压锁定
环路开路保护
较大导通时间保护
过温保护
线损电压补偿
峰值电流补偿
骊微电子代理的SD8583S是离线式开关电源集成电路,内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原 级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。