PN8308内置高开关速度智能MOSFET,进一步加快关断速度,集成了控制器及功率MOSFET,控制器实时跟踪功率MOSFET电流,实现50ns内快速关断,有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。
PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片,被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。
PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET。
PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度,实现电源小型化,并降低系统成本。以12V3A电源为例,TO220肖特基+散热片(25mm*17mm)可被SOP8同步整流(10mm*10mm)取代,功率密度提高4倍以上。
PN8308H在系统启动阶段,输出电压比较低时,芯片内 置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC 电压达到VCCon时,芯片开始工作;当VCC电压低到 VCCoff时,芯片停止工作,芯片内置MOS体二极管 作为次级的续流二极管继续工作。
PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期,MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号,为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号,芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内,芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后, 芯片关断值会恢复正常值。