PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET,具有如下特点:
易搭配原边主控芯片: ns级速度关断SR, 支持150kHz工作频率,支持CCM/DCM/QR工作模式;
EMC性能**:*特电流跟踪技术显著降低dV/dt,EMC特性优于肖特基;
可实现零外围工作:Low side架构,单边SW贴片封装,方便PCB Layout;
全面的智能保护功能:UVLO、防误开启、防误关断功能。
随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,PN8308内置mos开关电源同步整流芯片因外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片,实现电源小型化,并降低系统成本,被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。
在过去同步整流都是同步整流控制器+外置同步TO-220封装的N沟道MOS管来实现开关电源的同步整流,现采用通态电阻较低的**功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,如骊微电子代理的PN8308H内置mos开关电源同步整流芯片。
PN8308H内置mos同步整流芯片电流跟踪关断技术内置高开关速度智能MOSFET,进一步加快关断速度,通过内置Tonmin、Toffmin,增加SR开通限制条件等措施彻底避免SR误开通造成的直通问题,内部集成了较为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、较小导通时间等功能,兼容全模式CCM,DCM和QR。
深圳市骊微电子主要产品有:贴片式小型化半导体封装,外型有:SOP8/7、SOP16、QSOP24、SOT23-6、TSSOP20;直插式半导体封装外形有DIP7/8,产品主要应用于:LED照明、LED显示屏、各类充电器、适配器电源和锂电池等领域。
PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308内置高开关速度智能MOSFET,进一步加快关断速度,集成了控制器及功率MOSFET,控制器实时跟踪功率MOSFET电流,实现50ns内快速关断,有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。
PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,内置电压降较低的功率MOSFET,以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。