磷酸铁锂电池充电芯片PN8306

PN8044/46集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于**元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8044/PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044/46的降频调制技术有助于改善EMI特性。
PN8044/46非隔离AC-DC开关电源芯片因其电路简单、BOM成本低（**元件数目较少：*变压器、电感、光耦），电源体积小、无噪音、发热低等特点，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等认证，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。
PN8368包含一个*特的准谐振开关电路。在CV工作状态下，这个电路检测每一个谐振周期的谷底位置，让芯片每个开关周期都在谷底导通。这个*特的电路可以减少系统的开关损耗。同时，准谐振模式可以让芯片的开关频率在不同的开关周期之间轻微的变化，提高EMI的裕量。

PN8368广泛应用于:
开关电源适配器
电池充电器
机顶盒电源
PN8368提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流，CC模式设置点和*大输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部*消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。
PN8368拥有恒流恒压控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8368内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。
骊微电子代理的电源芯片AP8022内部集成有电流型PWM（脉冲宽度调制）控制器、固定频率为55KHz的振荡器和击穿电压为730V的高压功率场效应管。骊微电子代理的该电源芯片内部还集成有过热、过压、过流保护电路和用于电源启动的高压电流源。以AP8022为核心元件构成的开关电源具有输入电压适应范围宽（85-265V）、电源转换效率高、**电路简捷、成本低廉等特点。AP8022引脚功能为：①、②脚内置场效应开关管源较，在电路板上接地端，③脚反馈输入端，④脚供电端，⑤-⑧脚接内部场效应开关管漏较。

PN8370提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流，CC模式设置点和输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部*消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。
PN8370在0.5倍的T demag 处采样Vsense电压，并保持到下个采样点。将采样的电压和2.5V基准比较，并放大误差。这个误差值代表负载情况，通过控制开关信号，调节输出电压，使得输出恒定。
芯朋微一级代理PN8370 电源管理芯片充电器IC方案

PN8147的特点:
1. 待机功耗可显著降低（小于50mW），因为IC自身工作电流较小，且内置高压启动MOS管，IC启动之后自动关闭启动管；
2. *高压启动电阻和VDDG电阻，元件精简，且启动更快速（小于200ms），比普通高压电阻启动快10倍。
3. EMI特性好，CE裕量大于8dB（无输出共模电感），RE裕量大于5dB（无输出共模电感）；
4. 内置16级软启动功能，更安全。
5. 内置功率MOS管内阻小（1.7-4Ω），同等输出功率下的温升更低。
6. 可承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，包括CS短路保护，防止产线加工时CS电阻短路而烧毁IC，承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，提高产线直通率；很多竞争产品在CS短路后开机必炸机。
7. 采用自主设计的高雪崩能力智能开关MOSFET，在18W反激系统中去掉RCD/ AC264V下仍能正常工作不烧毁，可见该核心功率器件的耐冲击强度。
8. 通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种混合调节模式技术，在适当的设计方案中，完全可满足六级能效的四点平均效率标准（带输出线）。
PN8147六级能效电源适配器IC方案芯朋微一级代理
深圳骊微电子多年来作为芯朋微一级代理，深受广大客户的支持和爱戴，同时也是一家电源方案设计公司，并把芯朋微的IC产品大量应用电源方案中，为客户提供低成本，高性能的电源方案。
PN8036M非隔离ac/dc电源芯片内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，以较低的BOM成本（**元件数目较少）方便的实现宽电压高压降压小功率电源解决方案，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。
骊微电子代理的PN8370M+PN8306M方案亮点：**简洁（节省8颗元件）:PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零**工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件，实现SR与PSR零直通风险；
骊微电子新推出40V高电压输入大功率内置MOS管（采用**低内阻22豪欧）降压芯片，芯片振荡频率为200KHZ（可以通过外部调节），较低工作频率*满足安规认证的场合应用。该芯片在5V输出的情况下连续输出电流高达3A。高压36V的情况下芯片能稳定工作，芯片有过流保护功能。整套电流**简单，缩小了PCB所占空间，使整个BOM成本更低！
电源管理芯片AP8022构成开关电源的过流保护、过压保护、过热保护均由AP8022内部电路完成。在AP8022外部的保护电路主要是由R1、C1、D5组成的消尖峰电路，在AP8022内部场效应开关管截止瞬间，吸收开关变压器TB1①-②绕组产生的尖峰脉冲电压，保护AP8022内部的场效应开关管不被过高的尖峰电压击穿。