电动车充电器降压芯片PN8306

PN8160 内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了较为全面和性能优优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。
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N8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 高开关频率125kHz
■ 精简，*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
 过温保护 (OTP)
 输出过压保护
 逐周期过流保护 (OCP)
 输出开/短路保护
 次级整流管短路保护
 过负载保护（OLP）
骊微电子主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。

PN8044/46集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8044/PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044/46的降频调制技术有助于改善EMI特性。
PN8044/46非隔离AC-DC开关电源芯片因其电路简单、BOM成本低（元件数目较少：*变压器、电感、光耦），电源体积小、无噪音、发热低等特点，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等认证，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。

PN8366是一款集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，新颖的“频谱扩展”**技术, 大大改善了系统EMI性能，实现了电源系统的低成本化。
PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。