PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压,降低电源本身发热。
PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片,被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。
PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期,MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号,为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号,芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内,芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后, 芯片关断值会恢复正常值。
PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET。