5V1.2A充电器芯片AP2000A

PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。

5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。



电源管理芯片的应用范围十分广泛，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关，所有电子设备都有电源，但是不同的系统对电源的要求不同，电子设备所具备的功能越多、性能越高，其结构、技术、系统就越复杂，为了发挥电子系统的较佳性能，需要选择较适合的电源管理方式。
开关电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC**低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器，内部集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，恒压控制模式采用多模式控制方式，合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内，采用*有的自适应补偿**技术，输出过功率保护电具有很高的一致性，同时在通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。

Chipown针对10-24W AC/DC整机内置电源和外置适配器电源，推出了新一代的反激架构PN8147电源芯片，芯朋Chipown的PN8147单芯片六级能效方案，更少的外围器件，更多的保护功能，让您的电源设计更加简洁可靠，内部集成了多模式脉宽调制控制器、快速高压启动MOSFET和高雪崩能力功率MOSFET，采用DIP7封装，外围元件精简。
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8370是一款高性能的原边反馈控制器。PN8370工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN8370拥有恒流恒压控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。

PN8370M+PN8306M 5v开关电源芯片六级能效方案亮点 :
外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。

5v开关电源芯片充电器方案PN8370M+PN8306M因其外围较简、高可靠性、**低待机、高效率等优点，备受工程师们青睐，如需了解更多5v开关电源芯片详情或申请样板使用，可向骊微电子申请。。。。。。