骊微电子新推出40V高电压输入大功率内置MOS管(采用**低内阻22豪欧)降压芯片,芯片振荡频率为200KHZ(可以通过外部调节),较低工作频率*满足安规认证的场合应用。该芯片在5V输出的情况下连续输出电流高达3A。高压36V的情况下芯片能稳定工作,芯片有过流保护功能。整套电流简单,缩小了PCB所占空间,使整个BOM成本更低!
随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及,目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充,现在,骊微电子为你们推荐节省10颗的较简BOM、具成本优势的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。
PD充电器方案PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PD充电器方案PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、小导通时间等功能。
18W功率的PD充电器方案原理图:
18W PD充电器方案PN8161+PN8307H方案特性:
输入电压:90~265Vac
输出功率:18W
输出规格:12V1.5A;9V2A;5V3A
平均效率:满足CoC V5-2,4个点裕量
PCBA尺寸:48.0mm*36.0mm*14mm
拥有市电Brown in/out、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。
PN8161+PN8307H PD充电器方案亮点:
节省10颗以上: 无启动电阻、无CS侦测网络,原副边均实现SOP8功率集成;
满足CoC V5 Tier 2:**高压启动,实现30mW待机功耗;工作曲线随输出电压自适应,不同输出电压下平均效率裕量均大于4个点;
EMC性能:抖频幅度随负载自适应,改善传导;DCM/QR工作模式,避免次级整流管反向恢复问题,改善辐射;
3.3~12V宽输出电压范围:PN8161/PN8307H供电范围宽,*额外LDO稳压;
协议芯片任意搭:方案易满足PD3.0/QuickCharge 4+。
目前,18W PD充电器方案已经量产出货,并得到了市场的高度认可和支持,同时18W PD快充方案支持12V1.5A;9V2A;5V3A输出规格,拥有更高效的供电能力,传输速率快,有效的解决了手机快速充电续航等问题,如果需要产品的详细资料,可向骊微电子申请。。。。
PN8366为原边反馈工作模式,内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8366是一款集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),新颖的“频谱扩展”**技术, 大大改善了系统EMI性能,实现了电源系统的低成本化。
应用领域:开关电源适配器,电池充电器,机顶盒电源
PN8368这款高性能的原边反馈控制器。PN8368工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8368拥有恒流恒压控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8368内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。
在CC工作状态,PN8368采样FB引脚的信号(由辅助绕组信号通过电阻分压),辅助绕组信号脉宽决定振荡频率。输出电压越高,脉宽越小,同时振荡频率越高,这样可获得恒定的输出电流。
PN8368提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流,CC模式设置点和输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压,内部*消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。