5V 2.1A充电器芯片AP2005

电源ic就是指开关电源的脉宽控制集成，电源靠它来调整输出电压电流的稳定。手机是电源管理芯片为重要的应用场合，PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。
低功耗高效率电源芯片PN8368功能特点：
1.内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
2.内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
3.采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
4.全电压输入范围±5%的CC/CV精度
5.原边反馈可省光耦和TL431
6.恒压、恒流、输出线补偿外部可调
7.*额外补偿电容
8.无音频噪声
9.智能保护功能

pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路，可省略光耦和TL431，可以提高电源功率的密度，节省空间以及成本，具有优异全面的保护功能，骊微电子用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。


PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：
易搭配原边主控芯片： ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；
EMC性能**：*特电流跟踪技术显著降低dV/dt，EMC特性优于肖特基；
可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；
全面的智能保护功能：UVLO、防误开启、防误关断功能。

如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻松实现50mW待机功耗！
如何提高转换效率：PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！
如何简化EMC设计：PN8275内置X电容放电模块，可通过增大X电容简化传导设计；PN8308H采用*特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上！

12V3A六级能效适配器方案亮点：
输出规格：12V/3A
内置 850V 高压模块实现 X 放电功能
HV 脚可实现精确市电异常保护：OVP、Brown in/out
高压启动+多工作模式+同步整流技术，满足 CoC V5 Tier 2、

DCM模式同步整流虽然技术成熟，但应用场合一般受限于小功率充电器，CCM模式同步整流支持任何模式原边芯片，因此应用功率更大、应用场合更广，PN8308因外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器，如需12V3.0A六级能效36W适配器应用方案的详细资料，可向骊微电子申请。>>>

高集成电源管理、AC/DC、充电&适配器、LED照明、智能电表、工控设备、家电行业、手持设备行业电源类芯片提供商芯朋微半导体有限公司日前发布PN8306内置功率MOS高性能同步整流器，用于为移动设备打造小巧、功率更高的电源适配器，PN8306的使用更加高效的代替了传统电源中的的次级侧二极管，可使小型充电器功率密度更高，且不会**过温度限值。
PN8308H内置mos同步整流芯片电流跟踪关断技术内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，通过内置Tonmin、Toffmin，增加SR开通限制条件等措施彻底避免SR误开通造成的直通问题，内部集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、小导通时间等功能，兼容全模式CCM，DCM和QR。
http://tangyinju.cn.b2b168.com
欢迎来到深圳市骊微电子科技有限公司网站， 具体地址是广东省深圳市宝安区恒丰工业城B11栋5楼东，联系人是易善波。 主要经营深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司，产品被广泛用于：家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。。 单位注册资金单位注册资金人民币 250 - 500 万元。 本公司主营：集成电路,充电器IC,电源适配器,骊微,芯朋等产品，是一家优秀的电子产品公司，拥有优秀的高中层管理队伍，他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验，选择我们，值得你信赖！