移动电源ic设计 骊微电子芯朋微代理

骊微电子代理的AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率。
PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI特性 。

骊微电子代理的PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准。
骊微电子代理的PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护，例外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性。
骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
骊微电子代理的PM8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。