输出驱动
PN8161采用优化的图腾柱结构驱动技术,通过合理的输出驱动能力以及死区时间,得到较好的EMI特性和较低损耗。
过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起,使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃,芯片进入过温保护状态。
软启动
启动阶段,漏较的较大峰值电流限制逐步的提高;可以大大减小器件的应力,防止变压器饱和。软启动时间典型值为3.2ms。
PN8161产品特征:
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简,*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动,空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V,适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护(OLP)