PN8366是一款集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),新颖的“频谱扩展”**技术, 大大改善了系统EMI性能,实现了电源系统的低成本化。
骊微电子代理的PN8366芯朋微5V/1A充电器应用方案电路具有过载保护,过流保护,开环保护,以及VDD过压保护等功能,以提高整个系统的可靠性。待机小于50mW,动态性能好,可满足六级能效,此方案亮点省略RCD元件。
PN8366芯朋微5V/1A充电器应用方案该电路图中R6,R5,R11为反馈分压电阻,通过辅助绕组检测次级的电压,使输出电压维持在5V。D1,R3 以及R4,C7 组成RCD 箝位电路,用于吸收功率MOS(集成于PN8366 内部)漏源端尖锋电压。
PN8366 内置高压启动功能,可以在200mS 以内完全启动;当PN8366 本体温度太高时,其内置的OTP 保护功能会及时动作,关闭IC,以保护整个系统,温度下降之后再自动重启;电路具有输出短路保护,输出过流保护,开环保护, VDD 过压保护等功能,以提高整个系统的可靠性;当反馈脚FB 的分压电阻开路或短路时,系统都会进入保护状态;当CS 脚短路(或Rcs 短路)时系统会发生保护并进入Latch 状态,以确保系统不会被损坏;C1,L2,C2 组成π 性滤波,以改善EMI 性能;PCB LAYOUT
PCB 为普通单面板工艺,双面元器件,铜厚1OZ,基材为FR-4。PCB 长40.8mm,宽31mm,厚1mm。
骊微电子代理的PN8366是一款集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),新颖的“频谱扩展”**技术, 大大改善了系统EMI性能,实现了电源系统的低成本化,同时骊微电子专注电源应用芯片8年有余,积累了众多的AC-DC电源管理芯片解决方案以及*数据,不仅为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片,同时还提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
PN8366 内置高压启动功能,可以在200mS 以内完全启动;当PN8366 本体温度太高时,其内置的OTP 保护功能会及时动作,关闭IC,以保护整个系统,温度下降之后再自动重启;电路具有输出短路保护,输出过流保护,开环保护, VDD 过压保护等功能,以提高整个系统的可靠性;当反馈脚FB 的分压电阻开路或短路时,系统都会进入保护状态;当CS 脚短路(或Rcs 短路)时系统会发生保护并进入Latch 状态,以确保系统不会被损坏;C1,L2,C2 组成π 性滤波,以改善EMI 性能;PCB LAYOUTPCB 为普通单面板工艺,双面元器件,铜厚1OZ,基材为FR-4。PCB 长40.8mm,宽31mm,厚1mm。
PN8366特性概述:
·单面板设计,双面元器件,尺寸:40.8mm*31mm*15mm(板上高度);
·输入电压:90~264Vac;
·输出功率:5W(5V1A);
·待机功耗:<50mW(264V)
·启动时间:<100ms(90V)
·拥有输出短路保护,输出过流保护,输出欠压保护(PCB 端 3.1V 以下),VDD 过压保护,FB 分
压电阻开路短路保护,以及电流检测电阻 Rcs 开短路保护,过温保护;
· 平均效率:115V 和 和 230V 输入平均效率(PCB 端) 满足六级能效 73.6 % , 裕量充足。
PN8366产品描述:
PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。