骊微电子代理的PM8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8034M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。
骊微电子代理PN8326包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET,**于高可靠、隔离双绕组、较精简外围元器件的中小功率LED照明。该芯片工作在原边调整模式,可省略光耦、TL431;采用了快速DMOS自供电的**技术可节省变压器辅助绕组和高压启动电阻。
PN8036M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI特性 。
骊微电子代理的PN8235为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准。
骊微电子代理的AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率。