PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET,具有如下特点:
易搭配原边主控芯片: ns级速度关断SR, 支持150kHz工作频率,支持CCM/DCM/QR工作模式;
EMC性能**:*特电流跟踪技术显着降低dV/dt,EMC特性优于肖特基;
可实现零外围工作:Low side架构,单边SW贴片封装,方便PCB Layout;
全面的智能保护功能:UVLO、防误开启、防误关断功能。
PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)
小于30mW。
适配器电源芯片厂家深圳市骊微电子科技推荐5V3.1A /3.4A适配器电源芯片PN8386给大家认识。
5V3.1A /3.4A适配器电源芯片PN8386集成**低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。
PN8386包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
PN8386是一款高性能的原边反馈控制器。PN8386工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8386拥有恒压恒流控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,以满足大部分充电器和适配器需求。PN8386内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。
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PN8275准谐振直流转换芯片是一款符合6级能效标准的次级反馈,内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,,骊微电子代理的PN8275**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。