PN8366电路描述:
1.该电路图中R6,R5,R为反馈分压电阻,通过辅助绕组检测次级的电压,使输出电压维持在5V。
2.D1,R3 以及 R4,C7 组成 RCD 箝位电路,用于吸收功率 MOS(集成于 PN8366 内部)漏源端尖锋电压。
3.PN8366 内置高压启动功能,可以在 200mS 以内完全启动;
4.当 PN8366 本体温度太高时,其内置的 OTP 保护功能会及时动作,关闭 IC,以保护整个系统,温度下降之后再自动重启;
5.电路具有输出短路保护,输出过流保护,开环保护, VDD 过压保护等功能,以提高整个系统的可靠性;
6.当反馈脚 FB 的分压电阻开路或短路时,系统都会进入保护状态;
7.当 CS 脚短路(或 Rcs 短路)时系统会发生保护并进入 Latch 状态,以确保系统不会被损坏;
8.C1,L2,C2 组成 π 性滤波,以改善 EMI 性能;
PN8366产品特点:
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)
采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP)
开环保护 (OLP)
PN8366 内置高压启动功能,可以在200mS 以内完全启动;当PN8366 本体温度太高时,其内置的OTP 保护功能会及时动作,关闭IC,以保护整个系统,温度下降之后再自动重启;电路具有输出短路保护,输出过流保护,开环保护, VDD 过压保护等功能,以提高整个系统的可靠性;当反馈脚FB 的分压电阻开路或短路时,系统都会进入保护状态;当CS 脚短路(或Rcs 短路)时系统会发生保护并进入Latch 状态,以确保系统不会被损坏;C1,L2,C2 组成π 性滤波,以改善EMI 性能;PCB LAYOUTPCB 为普通单面板工艺,双面元器件,铜厚1OZ,基材为FR-4。PCB 长40.8mm,宽31mm,厚1mm。
PN8366特性概述:
·单面板设计,双面元器件,尺寸:40.8mm*31mm*15mm(板上高度);
·输入电压:90~264Vac;
·输出功率:5W(5V1A);
·待机功耗:<50mW(264V)
·启动时间:<100ms(90V)
·拥有输出短路保护,输出过流保护,输出欠压保护(PCB 端 3.1V 以下),VDD 过压保护,FB 分
压电阻开路短路保护,以及电流检测电阻 Rcs 开短路保护,过温保护;
· 平均效率:115V 和 和 230V 输入平均效率(PCB 端) 满足六级能效 73.6 % , 裕量充足。
PN8366产品描述:
PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8366产品特点:
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)
采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP)
开环保护 (OLP)
PN8366广泛应用于:
开关电源适配器
电池充电器
机顶盒电源
深圳市骊微电子科技有限公司一惯以"顾客至上,诚信**,价格优势,提供产品质量,及优质服务"为宗旨,十年诚信经营,得到了广大客户的支持与信赖,欢迎国内外朋友及新老客户来电资询,恰谈合作。愿在互利互惠基础上共同发展!
PN8366是一款集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),新颖的“频谱扩展”**技术, 大大改善了系统EMI性能,实现了电源系统的低成本化。