5W充电器芯片AP2007 芯朋微代理

PN8306包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
PN8680M概述：
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8680M产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ *额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
 过温保护 (OTP)
 VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
 逐周期过流保护 (OCP)
 CS开/短路保护 (CS O/SP）
 开环保护 (OLP)

PN8680M极限工作范围：
VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~40V
FB,CS 脚耐压………………...……….…………-0.3~5.5V
SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V
结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃
存储温度范围………………………....…. ….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃
封装热阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W
人体模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV
漏较脉冲电流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

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PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
PN8275产品特征：
■ 内置高压启动电路
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积
■ 内置输入欠压保护(PN8275)
■ 内置输入过压保护(PN8275P)
■ 内置X电容放电功能(通过IEC62368-1:2014认证)
■ 空载待机功耗< 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用
■ 线电压补偿外部可调
■ 优异全面的保护功能
 过温保护 (OTP)
 输出过压保护
 逐周期过流保护 (OCP)
 输出开/短路保护
 **的DMG电阻短路保护(Latch模式)
 次级整流管短路保护
 过负载保护（OLP）

PN8366M小功率电源适配器ic六级能效5V/1.2A适配器应用方案：
■ 输出规格5V/1.2A
■ 内置高压启动+多工作模式+**谷底开通技术，满足六级能效标准
■ 双段驱动技术，EMC性能优越，*Y电容及输出共模电感

PN8366M小功率电源适配器ic六级能效6W适配器应用方案：
■ 输出规格：12V/0.5A
■ 集成**高压启动模块+低工作电流，待机功耗＜50mw，10%负载效率裕量充足
■ PFM+PWM+QR多工作模式提高平均效率，满足六级能效要求，消除异音
■ 方案精简：*启动线路、去Y电容。
■ 可通过6KV Surge测试


pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路，可省略光耦和TL431，可以提高电源功率的密度，节省空间以及成本，具有优异全面的保护功能，骊微电子用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。

PN8570集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570 为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统 满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电 阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短 路保护和CS开/短路保护等，同时还集成AC过压保护功能。



PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。

PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。

5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。




问：什么是充电器芯片，谁家有芯朋微的？
答：芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路。是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分，现在芯朋微的代理有很多家，你可以去网上查下，找家可靠的代理商供货，我们就一直在骊微那边拿货的，感觉还很不错。