PN8161电源管理芯片报告

PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简，*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
 过温保护 (OTP)
 输出过压保护
 逐周期过流保护 (OCP)
 输出开/短路保护
 次级整流管短路保护
 过负载保护（OLP）

PN8161应用领域：
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源

深圳市骊微电子科技有限公司是一家销售：三极管、场效应MOS管、二三极管、集成IC等产品的经销批发商，**消费者市场，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。经销的：场效应MOS管、二三极管、IC电子元器件品种齐全、价格合理，提供电源领域相关软硬件设计服务，提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之忧。
PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。

PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简，*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
 过温保护 (OTP)
 输出过压保护
 逐周期过流保护 (OCP)
 输出开/短路保护
 次级整流管短路保护
 过负载保护（OLP）

PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，骊微电子代理的PN8161广泛被应用于充电器、适配器、开放式开关电源等领域。

PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简，*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
 过温保护 (OTP)
 输出过压保护
 逐周期过流保护 (OCP)
 输出开/短路保护
 次级整流管短路保护
 过负载保护（OLP）
过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

降频工作模式
PN8161提供降频工作模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于 V FB_PFM ，芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至较小频率25kHz。