SD8583S副边反馈电源ic

尽管不同类型的PSR电路有所不同，但其工作原理却大致相同，只是有些参数定义不一样，下面骊微电子以SD8583S为例进行介绍。

在CV模式下，大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压，由于漏感的原因，在MOSFET管关断后，也就是次级二极管DR导通瞬间，会产生一个尖峰，影响电压采样，为了避开个这个尖峰，大部分芯片采用延时采样方式，也就是在MOSFET管关断一段时间后再来采样线圈上的电压，从而避开漏感尖峰。

SD8583S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。

采用SD8583S设计系统，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本。
SD8583S适用8-10W输出功率。内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。

骊微电子专注于各类芯片开发设计8年余，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，骊微电子团队将为您提供合理的建议。

在CV模式下，大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压，由于漏感的原因，在MOSFET管关断后，也就是次级二极管DR导通瞬间，会产生一个尖峰，影响电压采样，为了避开个这个尖峰，大部分芯片采用延时采样方式，也就是在MOSFET管关断一段时间后再来采样线圈上的电压，从而避开漏感尖峰。
骊微电子代理的SD8583S是离线式开关电源集成电路，内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原 级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压，控制系统的输出电压和电流，达到输出恒压或者恒流的目的。
采用SD8583S设计系统，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本。
SD8583S适用8-10W输出功率。内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
SD8583S是离线式开关电源集成电路,是内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。

SD8583S.峰值电流检测：当驱动为高电平,Mos管导通,通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流,当达到设定的电流限制值即峰值电流,MOS管关断。在MOS管导通时会产生一个瞬间的毛刺,如果该毛刺的幅度**过峰值电流阈值Vpκ,即会导致驱动关断。因此设置*消隐时间TEBε=0.45μs,消除由该毛刺带来的可能的误触发。根据CDC管脚电压来检测系统负载,不同的负载状态对应不同的峰值电流阈值。
当0当0.30当0.40当0.65当1.00
骊微电子代理的sd8583s适用8~10w输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时骊微电子提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。