开关电源改同步整流芯片

PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8015M内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、**低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于改善EMI特性。

SD8585S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源PSR，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(VC/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率采用SD8585S设计系统，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路，降低系统成本。SD8585S适用10-12W输出功率，内置线损补尝功能和峰值电流补偿功能。
PN8160 内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了较为全面和性能优优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。通知QR+CCMECO-modeBurst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗，全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的ＥＭＩ表现。
AP8022A芯片内部集成了脉宽调制控制品和功率MOSFET，适用于小功率离线开关电源，该芯片提供了完整的智能保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护，突发模式能够降低系统处于待机模式的功耗。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能*启动。
PN8386集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)

SD6830是一款高度集成的电流模式PWM+PFM控制芯片。内置振荡器、内置高压管和降频功能，IC具有完整的自恢复保护功能。该电源控制器工作于典型的反激拓扑电路中，构成简洁的AC/DC电源转换器。在85V-265V的宽电压范围内提供12W的连续输出功率。
FP6601Q接口IC可在启用输出电压调整之前自动检测所连接的受电设备(PD)是兼容Quick Charge 3.0还是Quick Charge 2.0。如果检测到受电设备不兼容Quick Charge 2.0或3.0，FP6601Q可禁止输出电压调整，以确保仅5 V的旧型USB受电设备能够安全工作。