芯朋微充电器芯片PN8570M 免费咨询

PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。

六级能效同步整流方案概述：
PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm
输入电压：90~265Vac全电压
输出功率：36W(Typical)
平均效率：≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求)
待机功耗：<50mW(Vin=265Vac)
输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护等

PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。

PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

PN8275+PN8308H电路描述：电路图中R20、R22、R23为反馈分压电阻；D5、R17、R18、R15、C7 组成 RCD 箝位电路，用于吸收功率 MOSFET 漏源端尖锋电压，可以视情况予以减轻；PN8275 本体温度太高时，其内置的 OTP 保护功能会及时动作，关闭 IC，以保护整个系统，温度下降之后在自动重启；电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性；当连接到反馈脚 FB 的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。






高集成电源管理、AC/DC、充电&适配器、LED照明、智能电表、工控设备、家电行业、手持设备行业电源类芯片提供商芯朋微半导体有限公司日前发布PN8306内置功率MOS高性能同步整流器，用于为移动设备打造小巧、功率更高的电源适配器，PN8306的使用更加高效的代替了传统电源中的的次级侧二极管，可使小型充电器功率密度更高，且不会**过温度限值。
PN8308H内置mos同步整流芯片电流跟踪关断技术内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，通过内置Tonmin、Toffmin，增加SR开通限制条件等措施彻底避免SR误开通造成的直通问题，内部集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、较小导通时间等功能，兼容全模式CCM，DCM和QR。