开关电源控制芯片6脚PN8370 在线免费咨询

PN8370M集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。

12V1.5A六级能效18W适配器方案：PN8149
 输出规格：12V/1.5A
 集成**高压启动模式，待机功耗小于75mW
 多工作模式提高平均效率，满足六级能效要求
 频率抖动技术，EMC特性，省去变压器屏蔽层

PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略光耦和TL431，常用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源，如果需要PN8680M高效率低功耗电源芯片PN8680M产品的详细手册或其他资料，请向骊微电子申请。>>