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SD8583S是离线式开关电源集成电路,是内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。

SD8583S.峰值电流检测：当驱动为高电平,Mos管导通,通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流,当达到设定的电流限制值即峰值电流,MOS管关断。在MOS管导通时会产生一个瞬间的毛刺,如果该毛刺的幅度**过峰值电流阈值Vpκ,即会导致驱动关断。因此设置*消隐时间TEBε=0.45μs,消除由该毛刺带来的可能的误触发。根据CDC管脚电压来检测系统负载,不同的负载状态对应不同的峰值电流阈值。
当0当0.30当0.40当0.65当1.00
骊微电子代理的sd8583s适用8~10w输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时骊微电子提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。

骊微电子代理的SD8583S是离线式开关电源集成电路,是内置线损补偿和峰值电流补偿的髙端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。

士兰微充电器电源产品方案 SD8583S 完整的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测:当MOS管导通,通过采样电阻检测原级线圈的电流,此时FB端电压为负,输出电容对负载供电,输出电压Vo下降;当原级线圈的电流到达峰值时,MoS管关断,FB端电压检测开始。存储在次级线圈的能量对输出电容充电,输出电压上升,并对负载供电。当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后,MoS管才开启。随之,芯片再次进入峰值电流检测。

深圳市骊微电子科技有限公司专业集成电路IC生产设计销售，提供电源领域相关软硬件设计服务，提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之犹。公司产品主要用于电源管理IC、适配器IC 充电器IC，快速充电器IC 车载充电IC，LED驱动IC，移动电源IC，磁场效益/MOS 二极管，三极管以技术服务为基石，打造 高品质、高性价的整体电源方案供应商。设计的方案有5V-1A 5V1.2A 8.4V0.6A 9V0.6A 12V-0.6A 24V-0.3A 5V-1.5A、8.4V 9V-1A,12V-0.8A, 24V-0.5A 5V2A 5V2.1A、8.4V 9V-1A,12V-1A, 24V-0.6A 5V2.4A 5V3A,9V-1.5A,12V-1.5A 5V-3.4A,9V-2A,12V-1.5A V-4A,9V-2A,12V-2A,24V-1A 5V-4A,9V-2A,12V-2A,24V-1A 旅充芯片 快充QC2.0 QC3.0快充IC方案 同步整流IC 常用型号有：SD6952S SD8583S SD8585S SD4873A PN8368 PN8370H PN8370M AP8266 PN8147 PN8149 PN8160 PN8235 PN8366 PN8386 DP2525B等，代理了士兰微，芯朋微，华润华晶，泉芯，赛威，芯龙等一系列产品， 公司承诺：原装进口质量好的货，原装货，有大量库存现货，坚持做到诚信经营，质量保证，价格优惠，售后服务完善！

在CV模式下，大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压，由于漏感的原因，在MOSFET管关断后，也就是次级二极管DR导通瞬间，会产生一个尖峰，影响电压采样，为了避开个这个尖峰，大部分芯片采用延时采样方式，也就是在MOSFET管关断一段时间后再来采样线圈上的电压，从而避开漏感尖峰。

骊微电子代理的sd8583s适用8~10w输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时骊微电子提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。