5v转33v2a电源ic工作原理 欢迎咨询

电源IC的精度一般为±2%～±4%，精度高的可达±0.5%～±1%，骊微电子要根据电路的要求选择合适的精度，这样可降低生产成本。功能较全的器件价格较高，所以*关闭电源功能的或产品中无微处理器（μP）或微控制器（μC）的则*选择带关闭电源功能或输出电源工作状态信号的器件，这样不仅可降低成本，并且尺寸更小。

骊微电子代理的PN8306包括同步整流控制器及内置13mΩ 40V Trench MOSFET，适用于DCM和QR工作模式，在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，高精度次级电流检测电路，提升转换效率并降低芯片温度。

PN8370M集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。

PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC ），采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准，全电压输入范围±5%的CC/CV精度用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

骊微电子专注于电源方案设计开发，具有8年以上电源方案设计经验，优秀的技术团队。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力，公司一贯秉承“科技良好，诚信**，品质**群”的经营理念，“服务**、用户至上、高效优质，精益求精”是我们追求的目标。

在电源电路设计中电源IC较主要的三个参数是，输入电压VIN、输出电压Vo及较大输出电流Iomax。骊微电子工程师根据产品的工作电流来选择：较合适的是工作电流较大值为电源IC较大输出电流Iomax的70～90%。下面跟随芯朋微代理骊微电子了解几款DC-DC的电源芯片。

骊微电子代理的PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8044M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于改善EMI特性。

骊微电子代理的PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8015M内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、**低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于改善EMI特性。

骊微电子代理PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了较为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外，输出线补偿功能有助于获得较好的负载调整率。

骊微电子根据实际经验据上了解所知，较大输出电流Iomax为1A的升压式DC/DC变换器IC可用于工作电流700～900mA的场合，而工作于20～30mA时，其效率则较低。如果产品有轻负载或重负载时，较好选择PFM/PWM自动转换升压式DC/DC变换器，这不仅在轻负载时采用PFM方式耗电较小，正常负载时为PWM方式，而且效率也高。

骊微电子代理的PM8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。

骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。