5V1.5A充电器芯片AP5054C 在线免费咨询

开关电源芯片是指开关电源的脉宽控制集成电源靠它来调整输出电压电流的稳定，一般由脉冲宽度调制开关电源芯片（PWM）控制IC和MOSFET构成，选择电源开关芯片不仅仅要考虑满足电路性能的要求及可靠性，还要考虑它的体积、重量、延长电池寿命及成本等问题，骊微电子将给出一些选择基本原则以及推荐，希望对您有所帮助。
PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。
PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

高集成电源管理、AC/DC、充电&适配器、LED照明、智能电表、工控设备、家电行业、手持设备行业电源类芯片提供商芯朋微半导体有限公司日前发布PN8306内置功率MOS高性能同步整流器，用于为移动设备打造小巧、功率更高的电源适配器，PN8306的使用更加高效的代替了传统电源中的的次级侧二极管，可使小型充电器功率密度更高，且不会**过温度限值。
PN8308H内置mos同步整流芯片电流跟踪关断技术内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，通过内置Tonmin、Toffmin，增加SR开通限制条件等措施彻底避免SR误开通造成的直通问题，内部集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、较小导通时间等功能，兼容全模式CCM，DCM和QR。

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。

六级能效同步整流方案概述：
PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm
输入电压：90~265Vac全电压
输出功率：36W(Typical)
平均效率：≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求)
待机功耗：<50mW(Vin=265Vac)
输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护等

PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。

PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

PN8275+PN8308H电路描述：电路图中R20、R22、R23为反馈分压电阻；D5、R17、R18、R15、C7 组成 RCD 箝位电路，用于吸收功率 MOSFET 漏源端尖锋电压，可以视情况予以减轻；PN8275 本体温度太高时，其内置的 OTP 保护功能会及时动作，关闭 IC，以保护整个系统，温度下降之后在自动重启；电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性；当连接到反馈脚 FB 的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。






PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。