PN8386产品特点:
内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
内置高压启动电路小于50MW空载损耗(264V AC)
采用准谐振与多模式技术提高效率满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒流恒压输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护(OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP)
开环保护 (OLP)
PN8149该芯片还内置智能高压启动模块。PN8149为需要**低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
PN8370集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的RCS电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
骊微电子代理AP8268是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8268通过QR-PWM、 QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术,实现了低待机功耗和全电压范围下的较佳效率,频率调制技术和SoftDriver 技术充分保证良好的EMI表现。AP8268同时提供了全面的管脚开短路保护,以及逐周期过流保护、VDD过压保护、欠压 锁存、过温保护、输出过压保护、过载保护、输出二极管短路保护等功能。