dc/dc适配器芯片PN8235 欢迎在线咨询

PN8235包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明，PN8235工作在原边检测和调整模式，可省略光藕和TL431，PN8235拥有恒压恒流控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，以满足大部分充电器和适配器需求。PN8235内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。

PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。

PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）
小于30mW。

当下，骊微电子IC厂家认为随着可穿戴产品、智能产品、中小家电等各种电器产品的发展需求，对电源管理IC提出了更高的要求，对于电子产品而言，电源是其生命力的重要**，没有电源，电子产品无法正常运行。而高效地电源管理，则使得电子产品的性能更加**，这也正是电源管理芯片的价值所在，常用电源管理芯片有AC/DC电源管理芯片。

对于AC-DC开关电源管理芯片，骊微电子IC是采用原边反馈和副边反馈拓扑结构，应用于适配器、手机充电器等电源供电。其典型规格包含5V/1A、5V/2A，12V/1A、12V/1.5A、12V2A、19V3.4A等，满足六级能效要求。

AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制品和功率MOSFET，适用于小功率离线开关电源，该芯片提供了完整的智能保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护，突发模式能够降低系统处于待机模式的功耗。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能*启动。

PN8386内置650V高雪崩能力的功率MOSFET和高压启动电路小于50MW空载损耗(264V AC)；采用准谐振与多模式技术提高效率满足6级能效标准；全电压输入范围±5%的CC/CV精度 ；原边反馈可省光耦和TL431；恒流恒压输出线补偿外部可调；*额外补偿电容；无音频噪声；具有智能保护功能；过温保护（OTP）；VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP) ；逐周期过流保护 (OCP)；CS开/短路保护 (CS O/SP）；开环保护 (OLP)。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、较小导通时间等功能。

深圳市骊微电子科技有限公司专注电源应用芯片有多年，积累了众多的AC-DC电源IC芯片解决方案以数据，不仅为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时还提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务欢迎洽谈。