AP2005 充电器ic 可替代省电阻

QC3.0快充18W充电器方案：电路是一种基于PN8161和PN8307H设计输出5V3A,9V2A,12V/1.5A的快充电源。
18W快速充电器QC3.0成熟方案特征：
特征输入电压：90~265V全电压
输出功率：18W
输出电压：12V/9V/5V
输出电流：1.5A/2A/3A
效 率：满足CoC V5-2，5个点裕量

AP8505基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于元器件较精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动，实现系统快速启动、**低待机功能。5V非隔离无线门铃芯片AP8505提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。

PN8680M是一款高性能的原边反馈控制器，内置集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略系统的光耦和TL431，PN8680M代换OB2500POP具有高效率低功耗性能，有效解决了能源的浪费，提高了系统性能的高转换效率。
PN8680M代换OB2500POP 产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ *额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
 过温保护 (OTP)
 VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
 逐周期过流保护 (OCP)
 CS开/短路保护 (CS O/SP）
 开环保护 (OLP)

PN8306M 5v同步整流降压芯片特性：
1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器，效率提高3%以上；
2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型应用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险；
4、VIN耐压高达24V，抗冲击能力强；
5、内置高压供电模块，同步控制不受输出电压波动影响，更可靠；
6、高精度次级电流检测，同步整流关断点精准，提高转换效率，避免倒灌电流；
7、HBM ESD设计， VIN、VDET*外串电阻，可满足15kV空气/8kV接触ESD标准；
8、小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计，避免同步整流干扰PSR采样；
9、ESOP8裸铜散热封装，温升更低；
10、VIN欠压保护/过压钳位。
18W PD充电器方案副边芯片PN8307H同样采用SOP8封装，包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、小导通时间等功能，并通过控制策略创新降低SR反向电压至50V以内，显著降低方案成本。