9V2A充电器芯片PN7101

Chipown推出该系列产品以来，已得到大批充电器、适配器电源行业客户的承认和批量，因其BOM集成度高、容*安规、简洁可靠而深受欢迎，深圳骊微电子多年来作为芯朋微一级代理，深受广大客户的支持和爱戴，同时也是一家电源方案设计公司，并把芯朋微的IC产品大量应用电源方案中，为客户提供低成本，高性能的电源方案。
5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
5V 2A电源适配器低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，详情了解关于开关电源芯片或需设计开关电源方案请搜索骊微电子咨询了解更多。

当电子产品的电源已经插入插座但未使用时，本身仍在持续耗电。为了实现较低待机功耗，这些电源通常会进入一个低功耗待机运行模式。然而，当有负载时，它们需要快速“唤醒”，以防止输出电压下降过低。动态负载响应（DLR）性能由系统唤醒和响应功率负载变化的速度决定。典型的适配器和充电器设计方法能够实现较低的待机功耗和较高的效率，但这也导致了唤醒速度很慢。PN8306内置自适应电压位置监测器，它能够检测出反激式转换器的输出电压下冲，从而实现**快的DLR，*从低功耗待机模式醒来。
PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降较低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。

5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。



PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)