pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路,可省略光耦和TL431,可以提高电源功率的密度,节省空间以及成本,具有优异全面的保护功能。
PN8359在CC工作状态,PN8359采样FB引脚的信号(由辅助绕组信号通过电阻分压),辅助绕组信号脉宽决定 振荡频率。输出电压越高,脉宽越小,同时振荡频率越高,这样可获得恒定的输出电流。
PN8359产品特征:
■ 内置650V功率MOSFET
■ 全电压输入范围±5%的电流/电压调整率
■ 可省光耦和TL431
■ 恒压和恒流可调
■ 输出线补偿功能
■ 内置原边电感量补偿电路
■ 无音频噪声
■ 内置高压启动电路
■ 优异全面的保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压锁定 (UVLO)
CS开/短路保护
开环保护 (OLP)
VDD过压保护 (OVP)
安全自动恢复模式
pn8359原边反馈芯片非常适合小功率段,同时也提供了**的隔离效果,骊微电子新一代pn8359电源芯片设计技术的不断创新,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,采用初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术,原边反馈开关电源芯片功能不断增加,制造成本不断下降并且提高了系统的可靠性。
PN8359在启动阶段,内部高压电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电。当VDD电压达到15V,芯 片开始工作的同时高压启动电路关断;只要VDD电压不低于8V,芯片维持正常工作。启动后,偏置电路通 过辅助源供电。