PN8680M低功耗电源芯片在启动阶段,采用高压启动技术,芯片启动前2.0mA电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电,快速启动。当VDD电压达到VDDon,芯片开始工作的同时高压启动电路关断;只要VDD电压不低于VDDoff,芯片维持正常工作。启动后,偏置电路通过辅助源供电,同时启动电路只有一路较小的电流,实现低损耗。
18W USB PD充电器方案原边芯片PN8161采用SOP8封装,内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现,集成市电Brown in/out、AC OVP等保护,可节省启动电阻、CS侦测网络、驱动及分离MOSFET等近颗10元器件;
12V3.0A六级能效36W适配器方案:AP8266
输出规格:12V/3.0A
待机功耗<100mW
绿色降频工作模式提高平均效率
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,可省略光耦和TL431,常用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源,如果需要PN8680M高效率低功耗电源芯片PN8680M产品的详细手册或其他资料,请向骊微电子申请。>>