PN8034NSC-T1 充电器ic

PN8680M是一款高性能的原边反馈控制器，内置集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略系统的光耦和TL431，PN8680M代换OB2500POP具有高效率低功耗性能，有效解决了能源的浪费，提高了系统性能的高转换效率。
PN8680M代换OB2500POP 产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ *额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
 过温保护 (OTP)
 VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
 逐周期过流保护 (OCP)
 CS开/短路保护 (CS O/SP）
 开环保护 (OLP)

由于人们对于智能手机的依赖，往往都是一充，甚至使用强度稍大时要两充，这对我们的生活造成很大不便，如果紧急情况下手机突然断电了，必然会对生活造成影响，骊微电子推出18W PD快速充电器方案，充电功率可达18W，智能兼容12V、9V和5V多种电压。
18W PD快速充电器方案亮点：
节省10颗以上： 无启动电阻、无CS侦测网络，原副边均实现SOP8功率集成；
满足CoC V5 Tier 2：**高压启动，实现30mW待机功耗；工作曲线随输出电压自适应，不同输出电压下平均效率裕量均大于4个点；
EMC性能：抖频幅度随负载自适应，改善传导；DCM/QR工作模式，避免次级整流管反向恢复问题，改善辐射；
3.3~12V宽输出电压范围：PN8161/PN8307H供电范围宽，*额外LDO稳压；
协议芯片任意搭：方案易满足PD3.0/QuickCharge 4+。

PN8306M 5v同步整流降压芯片特性：
1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器，效率提高3%以上；
2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型应用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险；
4、VIN耐压高达24V，抗冲击能力强；
5、内置高压供电模块，同步控制不受输出电压波动影响，更可靠；
6、高精度次级电流检测，同步整流关断点精准，提高转换效率，避免倒灌电流；
7、HBM ESD设计， VIN、VDET*外串电阻，可满足15kV空气/8kV接触ESD标准；
8、小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计，避免同步整流干扰PSR采样；
9、ESOP8裸铜散热封装，温升更低；
10、VIN欠压保护/过压钳位。
18W PD充电器方案副边芯片PN8307H同样采用SOP8封装，包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、小导通时间等功能，并通过控制策略创新降低SR反向电压至50V以内，显著降低方案成本。

AP8505基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于元器件较精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动，实现系统快速启动、**低待机功能。5V非隔离无线门铃芯片AP8505提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。