PN8308H在系统启动阶段,输出电压比较低时,芯片内 置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC 电压达到VCCon时,芯片开始工作;当VCC电压低到 VCCoff时,芯片停止工作,芯片内置MOS体二极管 作为次级的续流二极管继续工作。
随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,骊微电子代理的PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压,降低电源本身发热。
PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度,实现电源小型化,并降低系统成本。以12V3A电源为例,TO220肖特基+散热片(25mm*17mm)可被SOP8同步整流(10mm*10mm)取代,功率密度提高4倍以上,因PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片,被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。
PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET。
PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度,实现电源小型化,并降低系统成本。以12V3A电源为例,TO220肖特基+散热片(25mm*17mm)可被SOP8同步整流(10mm*10mm)取代,功率密度提高4倍以上。