5V1A充电器芯片PN8348Q

PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)

pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路，可省略光耦和TL431，可以提高电源功率的密度，节省空间以及成本，具有优异全面的保护功能，骊微电子用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。


PN8306包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。

Chipown针对10-24W AC/DC整机内置电源和外置适配器电源，推出了新一代的反激架构PN8147电源芯片，芯朋Chipown的PN8147单芯片六级能效方案，更少的外围器件，更多的保护功能，让您的电源设计更加简洁可靠，内部集成了多模式脉宽调制控制器、快速高压启动MOSFET和高雪崩能力功率MOSFET，采用DIP7封装，外围元件精简。
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。