电源ic就是指开关电源的脉宽控制集成,电源靠它来调整输出电压电流的稳定。手机是电源管理芯片较为重要的应用场合,PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
低功耗高效率电源芯片PN8368功能特点:
1.内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
2.内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)
3.采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
4.全电压输入范围±5%的CC/CV精度
5.原边反馈可省光耦和TL431
6.恒压、恒流、输出线补偿外部可调
7.*额外补偿电容
8.无音频噪声
9.智能保护功能
PN8306包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306H集成了较为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8366产品特点:
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)
采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP)
开环保护 (OLP)
PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源,其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET,内置MOSFET具有650V高雪崩能力,实现系统快速启动、**低待机功能,并具有过流、欠压、过温保护,PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性,下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。
5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 :
1、外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M*特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性:a.方案三道防线,实现SR与PSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kV; c.PSR与SR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。