5V 2.4A充电器芯片AP2007

PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)

PN8275产品特征：
■ 内置高压启动电路
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积
■ 内置输入欠压保护(PN8275)
■ 内置输入过压保护(PN8275P)
■ 内置X电容放电功能(通过IEC62368-1:2014认证)
■ 空载待机功耗< 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用
■ 线电压补偿外部可调
■ 优异全面的保护功能
 过温保护 (OTP)
 输出过压保护
 逐周期过流保护 (OCP)
 输出开/短路保护
 **的DMG电阻短路保护(Latch模式)
 次级整流管短路保护
 过负载保护（OLP）

PN8366M小功率电源适配器ic六级能效5V/1.2A适配器应用方案：
■ 输出规格5V/1.2A
■ 内置高压启动+多工作模式+**谷底开通技术，满足六级能效标准
■ 双段驱动技术，EMC性能优越，*Y电容及输出共模电感

PN8366M小功率电源适配器ic六级能效6W适配器应用方案：
■ 输出规格：12V/0.5A
■ 集成**高压启动模块+低工作电流，待机功耗＜50mw，10%负载效率裕量充足
■ PFM+PWM+QR多工作模式提高平均效率，满足六级能效要求，消除异音
■ 方案精简：*启动线路、去Y电容。
■ 可通过6KV Surge测试


当电子产品的电源已经插入插座但未使用时，本身仍在持续耗电。为了实现较低待机功耗，这些电源通常会进入一个低功耗待机运行模式。然而，当有负载时，它们需要快速“唤醒”，以防止输出电压下降过低。动态负载响应（DLR）性能由系统唤醒和响应功率负载变化的速度决定。典型的适配器和充电器设计方法能够实现较低的待机功耗和较高的效率，但这也导致了唤醒速度很慢。PN8306内置自适应电压位置监测器，它能够检测出反激式转换器的输出电压下冲，从而实现**快的DLR，*从低功耗待机模式醒来。
PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降较低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为8大类：
1、AC/DC调制IC：内含低电压控制电路及高压开关晶体管。
2、DC/DC调制IC：包括升压/降压调节器，以及电荷泵。
3、功率因数控制PFC预调制IC：提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。
4、脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC：为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。
5、线性调制IC：如线性低压降稳压器LDO等，包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。
6、电池充电和管理IC：包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯智能电池 IC。
7、热插板控制IC：免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响。
8、MOSFET或IGBT的开关功能ic。