5v2a电源ic品牌

PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI特性 。

骊微电子代理的PM8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。

电源IC的精度一般为±2%～±4%，精度高的可达±0.5%～±1%，骊微电子要根据电路的要求选择合适的精度，这样可降低生产成本。功能较全的器件价格较高，所以*关闭电源功能的或产品中无微处理器（μP）或微控制器（μC）的则*选择带关闭电源功能或输出电源工作状态信号的器件，这样不仅可降低成本，并且尺寸更小。

骊微电子代理的PN8306包括同步整流控制器及内置13mΩ 40V Trench MOSFET，适用于DCM和QR工作模式，在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，高精度次级电流检测电路，提升转换效率并降低芯片温度。

PN8370M集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。

PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC ），采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准，全电压输入范围±5%的CC/CV精度用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

骊微电子专注于电源方案设计开发，具有8年以上电源方案设计经验，优秀的技术团队。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力，公司一贯秉承“科技良好，诚信**，品质**群”的经营理念，“服务**、用户至上、高效优质，精益求精”是我们追求的目标。

电源ic是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片.主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。骊微电子芯朋微一级代理客户常用电源管理芯片有PN8368、PN8370H/M、AP8266 、PN8147、PN8149、PN8160、PN8235、PN8366、PN8386、PN8306、PN8326、AP8022、等。

PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。、

PN8370M集成**低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源；
PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

骊微电子代理PN8370M+PN8305L 5V2A六级能效充电方案，该充电器ic方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点。

PN8235是一款高性能的原边反馈控制器，PN8235工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431，PN8235拥有恒压恒流控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，以满足大部分充电器和适配器需求，PN8235内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。

骊微电子推出芯朋微小家电IC方案-AP8022，该产品为一款内置730V功率MOSFET小功率开关电源IC，该芯片提供了完整的智能保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护，突发模式能够降低系统处于待机模式的功耗。还集成了输入85-265V工作电压。 适用于小家电和电磁炉电源、LED驱动，样品随时可以申请。

骊微电子电源ic的应用范围十分广泛，当今世界人们的生活已是片刻也离不开电子设备，电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。