充电器转灯电路芯片PN8366

深圳骊微电子也是一家**企业，公司从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司 。此次两家公司携手合作，实现了更大发展，建立长期、稳定的合作关系，既是企业自主创新、可持续创新不 断提高国产芯片的核心竞争力，也为国内更多电子应用领域带来稳定，安全，更高效的方案。

随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充，现在，骊微电子为你们推荐节省10颗的较简BOM、具成本优势的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。
PD充电器方案PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PD充电器方案PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、小导通时间等功能。
18W功率的PD充电器方案原理图：
18W PD充电器方案PN8161+PN8307H方案特性：
输入电压：90~265Vac
输出功率：18W
输出规格：12V1.5A；9V2A；5V3A
平均效率：满足CoC V5-2，4个点裕量
PCBA尺寸：48.0mm*36.0mm*14mm
拥有市电Brown in/out、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。
PN8161+PN8307H PD充电器方案亮点：
节省10颗以上： 无启动电阻、无CS侦测网络，原副边均实现SOP8功率集成；
满足CoC V5 Tier 2：**高压启动，实现30mW待机功耗；工作曲线随输出电压自适应，不同输出电压下平均效率裕量均大于4个点；
EMC性能：抖频幅度随负载自适应，改善传导；DCM/QR工作模式，避免次级整流管反向恢复问题，改善辐射；
3.3~12V宽输出电压范围：PN8161/PN8307H供电范围宽，*额外LDO稳压；
协议芯片任意搭：方案易满足PD3.0/QuickCharge 4+。
目前，18W PD充电器方案已经量产出货，并得到了市场的高度认可和支持，同时18W PD快充方案支持12V1.5A；9V2A；5V3A输出规格，拥有更高效的供电能力，传输速率快，有效的解决了手机快速充电续航等问题，如果需要产品的详细资料，可向骊微电子申请。。。。

AP8266 IC这款高集成度的电流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266 IC 内置 绿色的降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功耗的较高的转换效率。同时AP8266 IC 提供了丰富的保护，包括：逐周期过流保护、过压保护、过压箝位、欠压锁存、过温保护、过载保护，同时具有软启动和间歇工作模式功能。一旦出现故障，芯片进入自动重启状态直至故障排除。
购买芯朋微电源芯片AP8266 IC ，请联系深圳骊微电子科技有限公司，本公司乃厂家直销，货源充足，并同时免费提供电源方案，欢迎各大采购（客户）前来电话咨询拿样。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、小导通时间等功能。
USB Type-C接口拥有更高效的供电能力，支持传输速率快、正反盲插操作、所支持设备充电协议更快，USB PD支持的电压范围从5V~20V，功率从5W~100W不等，使用USB PD适配器均可为手机、掌机、平板、笔记本、显示器等设备供电。
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