芯朋微充电器芯片AP2975A

Chipown推出该系列产品以来，已得到大批充电器、适配器电源行业客户的承认和批量，因其BOM集成度高、容*安规、简洁可靠而深受欢迎，深圳骊微电子多年来作为芯朋微一级代理，深受广大客户的支持和爱戴，同时也是一家电源方案设计公司，并把芯朋微的IC产品大量应用电源方案中，为客户提供低成本，高性能的电源方案。
5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：        
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
5V 2A电源适配器低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，详情了解关于开关电源芯片或需设计开关电源方案请搜索骊微电子咨询了解更多。

PN8370是一款高性能的原边反馈控制器。PN8370工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN8370拥有恒流恒压控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。

PN8370M+PN8306M 5v开关电源芯片六级能效方案亮点 :  
外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。

5v开关电源芯片充电器方案PN8370M+PN8306M因其外围较简、高可靠性、**低待机、高效率等优点，备受工程师们青睐，如需了解更多5v开关电源芯片详情或申请样板使用，可向骊微电子申请。。。。。。


Chipown针对10-24W AC/DC整机内置电源和外置适配器电源，推出了新一代的反激架构PN8147电源芯片，芯朋Chipown的PN8147单芯片六级能效方案，更少的外围器件，更多的保护功能，让您的电源设计更加简洁可靠，内部集成了多模式脉宽调制控制器、快速高压启动MOSFET和高雪崩能力功率MOSFET，采用DIP7封装，外围元件精简。
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

开关电源芯片是指开关电源的脉宽控制集成电源靠它来调整输出电压电流的稳定，一般由脉冲宽度调制开关电源芯片（PWM）控制IC和MOSFET构成，选择电源开关芯片不仅仅要考虑满足电路性能的要求及可靠性，还要考虑它的体积、重量、延长电池寿命及成本等问题，骊微电子将给出一些选择基本原则以及推荐，希望对您有所帮助。
PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。
PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。
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