36W充电器芯片AP1711A

PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。

PN8570集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570 为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统 满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电 阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短 路保护和CS开/短路保护等，同时还集成AC过压保护功能。



PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：
易搭配原边主控芯片： ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；
EMC性能**：*特电流跟踪技术显著降低dV/dt，EMC特性优于肖特基；
可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；
全面的智能保护功能：UVLO、防误开启、防误关断功能。

如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻松实现50mW待机功耗！
如何提高转换效率：PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！
如何简化EMC设计：PN8275内置X电容放电模块，可通过增大X电容简化传导设计；PN8308H采用*特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上！

12V3A六级能效适配器方案亮点：
输出规格：12V/3A
内置 850V 高压模块实现 X 放电功能
HV 脚可实现精确市电异常保护：OVP、Brown in/out
高压启动+多工作模式+同步整流技术，满足 CoC V5 Tier 2、

DCM模式同步整流虽然技术成熟，但应用场合一般受限于小功率充电器，CCM模式同步整流支持任何模式原边芯片，因此应用功率更大、应用场合更广，PN8308因外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器，如需12V3.0A六级能效36W适配器应用方案的详细资料，可向骊微电子申请。>>>

开关电源芯片是指开关电源的脉宽控制集成电源靠它来调整输出电压电流的稳定，一般由脉冲宽度调制开关电源芯片（PWM）控制IC和MOSFET构成，选择电源开关芯片不仅仅要考虑满足电路性能的要求及可靠性，还要考虑它的体积、重量、延长电池寿命及成本等问题，骊微电子将给出一些选择基本原则以及推荐，希望对您有所帮助。
PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。
PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。
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