5V0.5A充电器芯片PN6370P

PN8368产品特性
■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
■采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■原边反馈可省光耦和TL431
■恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■*额外补偿电容
■无音频噪声
■智能保护功能
—过温保护 (OTP)
—VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
—逐周期过流保护 (OCP)
—CS开/短路保护 (CS O/SP）
—开环保护 (OLP)


在智能电子产品中，手机给予我们很多的方便，除了通讯这个基本功能之外，购物，阅读，听音乐等等娱乐休闲功能也变的越来越重要，甚至可以说手机是现代人*工具，由于手机软件使用频繁，所以人们对手机的电量需求也越来越大，要求也是越来越高，骊微电子从充电器设计到充电管理芯片产品覆盖5-100W以内各类电源产品，同时提供电源产品应用与电源设计服务，为手机充电器厂商提供相关的电源IC方案，对于品质、性能等各方面也提出了更高要求。

PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。

5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：        
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。



PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。

PN8306包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
http://tangyinju.cn.b2b168.com
欢迎来到深圳市骊微电子科技有限公司网站， 具体地址是广东省深圳市宝安区恒丰工业城B11栋5楼东，联系人是易善波。 主要经营深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司，产品被广泛用于：家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。。 单位注册资金单位注册资金人民币 250 - 500 万元。 本公司主营：集成电路,充电器IC,电源适配器,骊微,芯朋等产品，是一家优秀的电子产品公司，拥有优秀的高中层管理队伍，他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验，选择我们，值得你信赖！