DC/DC开关电源芯片引脚图

PN8386产品特点：
内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
内置高压启动电路小于50MW空载损耗(264V AC)
采用准谐振与多模式技术提高效率满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度 
原边反馈可省光耦和TL431
恒流恒压输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
   过温保护（OTP）                                                                
   VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
   逐周期过流保护 (OCP)
   CS开/短路保护 (CS O/SP）
   开环保护 (OLP)

随着人们对生活水平要求的提高，选择的电源芯片不仅仅要考虑满足电路性能的要求及可靠性，还要考虑它的体积、重量、延长电池寿命及成本等问题。需负电源时尽量采用电荷泵，便携式仪器中往往需要负电源，由于所需电流不大，采用电荷泵IC组成电压反转电路为简单，若要求噪声小或要求输出稳压时，可采用带LDO线性稳压器的电荷泵IC。
深圳市骊微电子科技有限公司代理的芯朋微PN8370产品特点：
内置650V高雪崩能力智能功率内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度封装/订购信息
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能 
   过温保护 (OTP)
    VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
 CS开/短路保护 (CS O/SP）
    开环保护 (OLP)
深圳市骊微电子科技有限公司是您开关电源芯片的平台，  骊微电子科技专注于各类芯片开发设计，*特的低功耗高效率的电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子科技本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，详情了解骊微电子科技开关电源芯片或需设计开关电源方案请搜索骊微电子科技咨询了解更多。

PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。

PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。
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