数字控制开关电源芯片PN8149

如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻松实现50mW待机功耗！
如何提高转换效率：PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！
如何简化EMC设计：PN8275内置X电容放电模块，可通过增大X电容简化传导设计；PN8308H采用*特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上！

PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简*12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308HBOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。

18W USB PD充电器方案原边芯片PN8161采用SOP8封装，内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，集成市电Brown in/out、AC OVP等保护，可节省启动电阻、CS侦测网络、驱动及分离MOSFET等近颗10元器件；
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