INN2215K快充icQc3.0方案快充协议芯片

INN2215K快充icQc3.0方案快充协议芯片
	快充技术的原理，通过USB端口的D+与D-的不同电压给合，来向充电器申请相应的输出电压供手机充电。QC2.0并不是简单的D+与D-的组合就可以让充电器输出所需的电压，而是还有一些协议在里面，需要先发送握手信号，比如1.5s的握手电压组合，才能进行下一步的输出，否则，直接按图-4将D+与D-电平设置好是不会改变充电器的输出电压的，这也是为了更好的保护非QC2.0技术的手机，不会因为误触发了充电器的升压机制而烧毁手机。
快充技术的优点是，很好地解决常规手机充电电流的限制，由于充电器输出电压的提高，手机充电环路的阻抗限制的充电电流的问题得到了很好地解决，缺点是，效率仍不是很高，在手机端发热量还比较大。
INN2215K是InnoSwitch-CP系列IC，集成了反激式控制器、650 V 的高压MOSFET、次级侧检测和同步整流驱动器，次级侧控制器实现对输出电压和电流的监测，根据监测结果将信息反馈至初级，进行相应的开关控制，从而实现更精准的输出电压和电流的控制，佳大功率22W。芯片具有线压检测、次级检测、输出过压保护、自动重启等多种功能，FB管脚具有短路检测功能。芯片效率高、待机功耗低，适配器中应用比较多。
INN2215K快充icQc3.0方案快充协议芯片
INN2215K是离线CV/CC反激开关集成电路,集成了650V MOSFET,Sync-Rect反馈和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分布图,大大简化了低压大电流电源特别是小尺寸和高效率电源的开发和制造，支持快速充电协议USB-PD 和QC 3.0,隔离电压大于3,500 VAC ,UL1577和TUV (EN60950)安全认证,和EN61000-4-8 (100 A/m) 以及EN61000-4-9 (1000 A/m)兼容,主要用在QC 3.0和USB-PD充电器。
随着高通QC3.0的发布，很好的弥补了QC2.0效率偏低的问题。
充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%。Quick Charge 3.0采用佳佳电压智能协商（INOV）算法，可以根据掌上终端确定需要的功率，在任意时刻实现佳佳功率传输，同时实现效率佳大化。另外，其电压选项范围更宽，移动终端可动态调整到其支持的佳佳电压水平。具体来说，Quick Charge 3.0支持更细化的电压选择：以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这样，你的手机可以从数十种功率水平中选择佳适合的一档。
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