PN8161概述：

PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

PN8161产品特征：

■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET

■ 准谐振工作

■ 较高开关频率125kHz

■ 外围精简，*启动电阻及CS检测电阻

■ 高低压脚位两侧排列提高安全性

■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC

■ 改善EMI的频率调制技术

■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用

■ 优异全面的保护功能

² 过温保护 (OTP)

² 输出过压保护

² 逐周期过流保护 (OCP)

² 输出开/短路保护

² 次级整流管短路保护

² 过负载保护（OLP）

PN8161应用领域：

■ 充电器

■ 适配器

■ 开放式开关电源

骊微电子专注于各类芯片开发设计8年余，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，骊微电子团队将为您提供合理的建议。