推挽控制开关电源芯片PN8370

如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻松实现50mW待机功耗！
如何提高转换效率：PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！
如何简化EMC设计：PN8275内置X电容放电模块，可通过增大X电容简化传导设计；PN8308H采用*特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上！

PN8370M集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。

PN7724无线充电芯片搭配一颗通用MCU即可实现10W无线充电功率发射，具有如下特点：
高集成度：将全桥4颗功率开关管、驱动电路、LDO集成于一颗单芯片上，实现功率模块全集成！
高转换效率：受益于单芯片功率集成技术，显著减小寄生参数，降低关断损耗；受益于自适应死驱调节技术，谐振电流更多时间流过MOS沟道，减小导通损耗！
SOP8-PP功率封装：仅8个引脚，应用简单；功率封装底部散热片可大面积敷铜散热，显著降低芯片及PTx温升！
安全可靠：与分立MOS方案不同，不论MCU输出信号是否异常，PN7724内部高低侧MOS只有一个管子处于导通状态，彻底避免直通炸机!

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简*12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308HBOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。