全新充电器芯片PN8046 芯朋微代理

PN8368产品特性
■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
■采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■原边反馈可省光耦和TL431
■恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■*额外补偿电容
■无音频噪声
■智能保护功能
—过温保护 (OTP)
—VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
—逐周期过流保护 (OCP)
—CS开/短路保护 (CS O/SP）
—开环保护 (OLP)


在智能电子产品中，手机给予我们很多的方便，除了通讯这个基本功能之外，购物，阅读，听音乐等等娱乐休闲功能也变的越来越重要，甚至可以说手机是现代人*工具，由于手机软件使用频繁，所以人们对手机的电量需求也越来越大，要求也是越来越高，骊微电子从充电器设计到充电管理芯片产品覆盖5-100W以内各类电源产品，同时提供电源产品应用与电源设计服务，为手机充电器厂商提供相关的电源IC方案，对于品质、性能等各方面也提出了更高要求。

PN8680M概述：
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8680M产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ *额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
 过温保护 (OTP)
 VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
 逐周期过流保护 (OCP)
 CS开/短路保护 (CS O/SP）
 开环保护 (OLP)

PN8680M极限工作范围：
VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~40V
FB,CS 脚耐压………………...……….…………-0.3~5.5V
SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V
结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃
存储温度范围………………………....…. ….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃
封装热阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W
人体模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV
漏较脉冲电流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

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在智能电子产品中，手机给予我们很多的方便，除了通讯这个基本功能之外，购物，阅读，听音乐等等娱乐休闲功能也变的越来越重要，甚至可以说手机是现代人*工具，由于手机软件使用频繁，所以人们对手机的电量需求也越来越大，要求也是越来越高，骊微电子从充电器设计到充电管理芯片产品覆盖5-100W以内各类电源产品，同时提供电源产品应用与电源设计服务，为手机充电器厂商提供相关的电源IC方案，对于品质、性能等各方面也提出了更高要求。
低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力，更多高精度低功耗电源芯片方案请搜索骊微电子咨询了解更多。

PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)


问：骊微代理的PN8149充电器芯片怎么样？
答：PN8149充电器芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。