士兰微SD8583Spdf 在线免费咨询

骊微电子代理的sd8583s适用8~10w输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时骊微电子提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。

尽管不同类型的PSR电路有所不同，但其工作原理却大致相同，只是有些参数定义不一样，下面骊微电子以SD8583S为例进行介绍。

在CV模式下，大部分PSR芯片直接取样辅助线圈上电压，由于漏感的原因，在MOSFET管关断后，也就是次级二极管DR导通瞬间，会产生一个尖峰，影响电压采样，为了避开个这个尖峰，大部分芯片采用延时采样方式，也就是在MOSFET管关断一段时间后再来采样线圈上的电压，从而避开漏感尖峰。

SD8583S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。

采用SD8583S设计系统，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本。
SD8583S适用8-10W输出功率。内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。

骊微电子专注于各类芯片开发设计8年余，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，骊微电子团队将为您提供合理的建议。

士兰微充电器电源产品方案 SD8583S 完整的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测:当MOS管导通,通过采样电阻检测原级线圈的电流,此时FB端电压为负,输出电容对负载供电,输出电压Vo下降;当原级线圈的电流到达峰值时,MoS管关断,FB端电压检测开始。存储在次级线圈的能量对输出电容充电,输出电压上升,并对负载供电。当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后,MoS管才开启。随之,芯片再次进入峰值电流检测。