12WSDH8594AS电源充电器ic

SDH8594AS PFM调制频率的设定：骊微电子的SDH8594AS在PFM调制频率范围由导通时间TN和恒压环路控制关断时间T。F所决定。因此当关断时间较长T。FFma时,系统处于较小限制频率状态,工作频率较低;当关断时间较短 ToFFmink时,系统处于较高频工作状态,工作频率达到较高。

随着手持设备业务的不断发展，对电池充电器的要求也不断增加。要为完成这项工作而选择正确的集成电路 (IC)，我们必须权衡几个因素。在开始设计以前，我们必须考虑诸如解决方案尺寸、USB标准、充电速率和成本等因素。必须将这些因素按照重要程度依次排列，然后选择相应的充电器IC。为此，我们特意推出深圳市骊微电子科技充电器芯片-SDH8594AS ,来研究一下充电器芯片的特性。

SDH8594AS概述：SDH8594AS是内置高压M○S管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CCC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率。并且集成高压启动,可以省去外围的启动电阻。

采用SDH8594AS设计系统,*光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本。SDH8594AS适用8~12W输出功率,具有可调节线损补偿功能和内置峰值电流补偿功能。

随着发展的科技信息化时代，生活工作都与电子产品息息相关。适配器IC也就被大量的应用起来了，适配器IC可分为原边反馈（PSR）电源芯片和副边反馈（SSR）电源芯片。PSR电源芯片价格比SSR的较低，因为原边反馈电源芯片无光耦和TL431，所以在价格上就比较*一点。而适配器IC所使用的功率管耐压也分为三极管（BJT）和MOSFET,三极管（BJT）的耐压可达到700V左右;MOSFET耐压可达到600V左右 。

SDH8594AS原边反馈电源芯片采用PFM调制技术，实现精确的恒压/恒流（CV/CC）控制，效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准。

SDH8594AS内置了高压MOS管，使用了自有的**技术来实现高压启动功能，降低待机功耗以及提高转换效率，具有外部可调的线损补偿和内置的峰值电流补偿等功能，可以确保精准的恒压/恒流（CV/CC）性能，在确保待机功耗满足DOE Level 6能效标准的前提下，具有较佳的动态响应性能。

骊微电子致力于面向绿色节能电源管理的半导体产品的开发与制造, 推出了一系列采用其自主开发的技术的绿色电源控制芯片，这些芯片可广泛应用于消费电子产品与家电产品上的各类开关电源，其中SDH8594AS就是其中的一款。

SDH8594AS产品特点：
原边控制模式
髙精度恒流恒压控制
低启动电流
可调节输出电压电流
可调节线损补偿
内置650 VMOSFET
内置高压启动
满足75mW待机标准
*消隐
*补偿电容
过温保护
VCC过压保护
输出过压保护
欠压锁定
逐周期限流
输出短路保护
过流保护
较大导通时间保护

SDH8594AS内置高压MOS管高精度原边控制开关电源芯片是离线式开关电源集成电路，是外置线损补偿和内置峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的，骊微电子的SDH8594AS集成多种保护,有效减少额外的器件数量和尺寸。