PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期,MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号,为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号,芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内,芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后, 芯片关断值会恢复正常值。

PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

PN8308H适用于输出电压9-15V的电源,内置80V智能功率MOSFET。

PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的,从而提高转换效率,可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压,降低电源本身发热。
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