PN8307H产品特征:内置11mΩ 60V Trench MOSFET;适用于3.6V-20V宽供电范围工作; 适用于DCM和QR工作模式;自适应次级电流检测电路;优异全面的辅助功能;欠压保护;防误开启;小导通时间,广泛应用于QC3.0充电器及适配器,适配器。
骊微电子代理的AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能*启动。
PN8368提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流,CC模式设置点和大输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压,内部*消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。
PN8368产品特点:
内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)
采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP)开环保护 (OLP)
PN8147为需 EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片内置650V高雪崩能力的功率MOSFETHi-mode(60kHz PWM)Eco-mode(动态PFM)Burst-mode(25kHz间歇工作模式)开关电源适配器和电池充电器白色家电、个人电脑、音响等辅助电源LCD/PDP电视机辅助电源Burst mode(25kHz间歇工作模式)改善EMI的频率调制技术空载待机功耗<50mW@230VAC软启动技术内置高压启动电路。
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